ups電源的發展史其實就是采用不同逆變器器件的發展史。早期UPS采用的是可控硅,這種UPS效率低，噪聲大,體積龐大。第二代UPS采用了雙極晶體管,其開關速度可以做到音頻以上。這樣降低了噪聲，減小了體積,但由于雙極晶體管容易造成二次擊穿，于是采用MOSFET的第三代UPS產生了。但它的弱點是不易把UPS容量做得很大。1982年,日本三菱公司成功地研制出具有場效應的高頻特性，柵板電壓可控,驅動電流小，并具有雙極晶體管的大電流處理能力等諸多特點的新型功率器件,即隔離柵型雙極性晶體管(IGBT)。山特公司是首家將IGBT技術應用于UPS領域的廠商，為此UPS發生了一次巨大的變革,一改過去那種大而笨重的形象，同時使UPS實現智能化控制變成了可能。但若要進一步縮小UPS體積,提高逆變效率，改善UPS的各種輸出特性,設計高頻化的UPS就提到人們的日程上來，將逆變器的開關頻率做到幾萬赫茲,使UPS實現高頻化，這將是UPS的主要發展趨勢。
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